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文章类型：
机构：
[1]中山大学孙逸仙纪念医院肿瘤放疗科广州510120
中山大学
中山大学孙逸仙纪念医院
[2]中山大学孙逸仙纪念医院神经外科广州510120
中山大学
中山大学孙逸仙纪念医院
[3]广州医科大学附属第六医院神经外科清远511500
广州医科大学
出处：
ISSN：
关键词：
PDLIM4基因
胶质瘤
恶性程度
预后
放射抵抗
摘要：
目的 分析PDLIM4(PDZ and LIM domain 4)基因与胶质瘤预后及放射敏感性的影响.方法 应用生物信息学技术对GSE53733芯片进行分析得出差异性表达基因,并使用免疫印迹法(Western blot)检测PDLIM4蛋白表达,实时荧光定量PCR、siRNA、MTT、流式细胞法检测、X射线照射等方法研究PDLIM4基因对胶质瘤预后及胶质瘤细胞照射敏感的相关性.结果 生物信息学分析结果提示PDLIM4在芯片中表达差异最明显(logFC=1.055897,P<0.05).通过40例胶质瘤的qPCR结果证实PDLIM4在高级别与低级别胶质瘤中差异表达(t=4.44,P<0.05),并与患者生存时间具有相关性(χ2=5.52,P<0.05),且PDLIM4基因与胶质瘤细胞的放射敏感性相关(t=35.99,P<0.05).结论 PDLIM4基因表达水平与胶质瘤恶性程度及预后相关,并参与了细胞的X射线抵抗.
基金：
广东省科技计划项目(2014A020212091)Guangdong Province Science and Technology Project (2014A020212091)
第一作者：
推荐引用方式(GB/T 7714)：
罗铭,蔡望青,李凯舒,等.PDLIM4基因对胶质瘤预后及胶质瘤细胞放射敏感性的影响[J].中华放射医学与防护杂志.2017,37(10):725-729,762.
